高纯度难溶金属溅射靶材可行性研究报告

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简介:

项目以领先的技术优势、完善的品质体系和卓越的客户服务水平,打造高纯溅射靶材行业的优秀品牌,为中国半导体芯片材料产业的发展做出更大的贡献

目录(部分摘录)

第一章 项目总论

1.1 项目概况

1.1.1 项目名称

1.1.2 项目性质

1.1.3 建设单位

1.1.4 项目简介

1.1.5 项目选址

1.1.6 建设内容

1.1.7 实施进度

1.1.8 资金筹措

1.2 主要技术经济指标

1.3 项目编制依据及范围

1.3.1 项目编制主要依据

1.3.2 项目编制范围

1.4 结论与建议

第二章 项目建设的背景及必要性

2.1 项目建设的背景

2.1.1 战略引导:国家高度重视新材料等核心基础材料自主保障率,高纯靶材材料迎机遇

2.1.2 产业融合:多部门多角度鼓励增强靶材产业配套能力

2.1.3 行业紧迫性:国际环境日趋复杂,高纯钨靶材自力更生迫在眉睫

2.1.4 地方扶持:福建加快打造集成电路和光电产业集群

2.2 项目建设的必要性

2.2.1 保障新材料自给力:提高我国高纯难熔金属钨靶材的自主供给

2.2.2 增强半导体产业配套力:致力于为我国半导体芯片材料产业的发展做出更大的贡献

2.2.3 提高福建造“芯”力:积极融入福建省“增芯”工程,助力集成电路制造企业集聚福建

2.3 项目实施的社会效益

2.3.1 打造高纯金属钨靶材制备基地和完整的工艺质量控制体系,提高我国钨靶材的国际竞争力

2.3.2 带动靶材领域专业人才聚集福建,提高福建软实力

2.3.3 加速高纯金属靶材全产业国产化,保障我国半导体产业安全

第三章 行业与市场分析

3.1 行业简介

3.1.1 行业分类

3.1.2 行业主要监管部门

3.2 溅射靶材行业发展底层驱动因素

3.2.1一系列支持溅射靶材产业发展的政策推动行业高速发展

3.2.2 我国集成电路产业保持快速增长,带动靶材行业发展

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市场分析(部分摘录)

产品知识:

高纯溅射靶材:溅射是制备薄膜材料的主要技术之一,它利用离子源产生的离子,在真空中经过加速聚集,而形成高速度能的离子束流,轰击固体表面,离子和固体表面原子发生动能交换,使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面,被轰击的固体是制备溅射法沉积薄膜的原材料,称为溅射靶材。各种类型的溅射薄膜材料无论在半导体集成电路、太阳能光伏、记录介质、平面显示以及工件表面涂层等方面都得到了广泛的应用。

半导体芯片:在半导体片材上进行浸蚀,布线,制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片,常见的还包括砷化镓,锗等半导体材料。

 3.2.2 我国集成电路产业保持快速增长,带动靶材行业发展

在国家政策扶持以及市场应用带动下,我国集成电路产业保持快速增长,继续保持增速全球领先的势头。受此带动,在国内集成电路产业发展中,集成电路设计业始终是国内集成电路产业中最具发展活力的领域,增长也最为迅速。国家统计局数据显示,近几年我国集成电路产量增长较快,年增长保持在10%以上。2019年,我国集成电路产量累计值达到2018.2亿块,同比增长16.0%。

图3-1:2015-2019年我国集成电路产量及增速情况
高纯度难溶金属溅射靶材可行性研究报告
数据来源:国家统计局

中国半导体协会数据显示,2018年,中国集成电路行业销售收入为6532亿元,同比增长20.71%。截至2019年前三季度,我国集成电路行业累计销售额为5049.9亿元,同比增长13.2%,我国集成电路行业增速有所下降,主要是由于受到2019年下半年全球集成电路行业下行影响,但仍然保持高速增长态势。

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  • 本文由 发表于 2022年12月1日
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